根据科技日报的光刻报道，光刻技术是胶领持续缩小集成电路芯片制程工艺的关键因素之一。近期，域国北京大学化学与分子工程学院的实现彭海琳教授及其团队，通过冷冻电子断层扫描技术，新进首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的光刻三维结构、界面分布与缠结行为，胶领从而指导开发了可显著减少光刻缺陷的域国产业化方案。这项研究成果已在《自然·通讯》上发表。实现
“显影”是新进光刻过程中至关重要的一步，在这一过程中，光刻显影液通过溶解光刻胶的胶领曝光区域，将电路图案准确地转移到硅片上。域国光刻胶就像绘制电路的实现颜料，显影液中光刻胶的新进运动直接影响到电路的精确度和质量，进而左右芯片的良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为被认为是一个“黑匣子”，因此工业界的工艺优化主要依赖于反复试错，这成为推动7纳米及以下先进制程良率提升的主要瓶颈。
为了解决这一问题，研究团队首度将冷冻电子断层扫描技术应用于半导体领域。研究人员最终合成了一张分辨率超过5纳米的微观三维“全景照片”，有效克服了传统技术在原位、三维和高分辨率观察方面的三大难题。彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析 liquid phase interfaces 提供了强有力的工具。深入了解液体中聚合物的结构和微观行为，将有助于提升先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制及良率。
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